Фоторезист AQUA MER серии MAH200
СВОЙСТВА И СФЕРЫ ПРИМЕНЕНИЯ
- Фоторезист AQUA MER серии MP600 – это высокотехнологичный сухой пленочный фоторезист полностью на водной основе, разработанный для изготовления внутренних, внешних слоёв и электрохимических процессов.;
- Фоторезист AQUA MER серии MAH200 специально создан для формирования рисунка с высоким разрешением и максимально возможной производительностью и выхода годной продукции с первого проявления. Cерия MAH200 демонстрирует выдающиеся характеристики в процессах тентирования и кислого травления, а также электрохимического осаждения металлов в кислых электролитах..
• Превосходная совместимость – для увеличения выхода годной продукции с первого проявления
• Улучшенные характеристики тентирования
• Прямые и вертикальные стенки проявленного фоторезиста / прямые и вертикальные стенки высаженного гальванического осадка (проводника)
• Низкое пенообразование при проявлении
• Высокое разрешение и высокая адгезия проявленной топологии
• Отсутствие подтекания под проявленный фоторезист при электрохимическом меднении и электрохимическом осаждении никель-золото.
• Низкое содержание выщелоченных веществ
• Улучшенный процесс удаления – маленький размер частиц (чешуйки), быстрое удаление
• Улучшенные характеристики тентирования
• Прямые и вертикальные стенки проявленного фоторезиста / прямые и вертикальные стенки высаженного гальванического осадка (проводника)
• Низкое пенообразование при проявлении
• Высокое разрешение и высокая адгезия проявленной топологии
• Отсутствие подтекания под проявленный фоторезист при электрохимическом меднении и электрохимическом осаждении никель-золото.
• Низкое содержание выщелоченных веществ
• Улучшенный процесс удаления – маленький размер частиц (чешуйки), быстрое удаление
|
Параметр |
Ед. изм. |
MAH215 |
MAH220 |
Примечание |
|
Толщина |
мкм |
38 |
50 |
|
|
Энергия экспонирования |
мДж/см2 |
30 |
40 |
|
|
Мин. время проявления |
сек. |
20 |
26 |
|
|
Адгезия (линия/зазор=x/250) |
мкм |
25 |
30 |
|
|
Разрешение (линия/зазор) |
мкм |
25 |
30 |
|
|
Макс. размер тентирования |
мм |
6.5 |
7.5 |
|
MAH215 (рекомендуется 7-9 ступень клина Штоуффера 21);
Проявление 1% водный раствор Na2CO3, 30℃, минимальное время ×2;
Стенка нарощенного электрохимически проводника. Нет подтекания Ni-Au (см. фото)